電路如下圖所示。已知g_m=1.65Ms，R_G1=R_G2=1MΩ，R_D=R_L=3kΩ，耦合電容C_i=C_o=10μF。試求：
1．電路的中頻增益A_U。 
2．估算電路的下限截止頻率f_L。 
3．當(dāng)考慮信號源內(nèi)阻時(shí)，高頻增益計(jì)算公式。

電路如下圖所示。已知V_DD=20V，R_G=51MΩ，R_G1=200kΩ，R_G2=200kΩ，R_S=22kΩ，場效應(yīng)管的g_m=2mS。試求： 
1．無自舉電容C時(shí)，電路的輸入電阻。
2．有自舉電容C時(shí)，電路的輸入電阻。

電路如下圖所示。場效應(yīng)管的g_m=2mS，r_ds為無窮大，電路中各電容對交流均可視為短路，試求： 
1.電路的電壓增益AU。
2.輸入電阻和輸出電阻。

電路參數(shù)如下圖所示，場效應(yīng)管的U_GS，off=-1V，I_DSS=0.5mA，r_ds為無窮大。試求：
1．靜態(tài)工作點(diǎn)。
2．電壓增益A_U。 
3．輸入電阻和輸出電阻。

電路如下圖a所示，MOS管的轉(zhuǎn)移特性如下圖b所示。試求：
1．電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。
2．電壓增益。 
3．輸入電阻和輸出電阻。