單項(xiàng)選擇題在循環(huán)冗余校驗(yàn)中,生成多項(xiàng)式G(x)應(yīng)滿足的條件不包括()。

A.校驗(yàn)碼中的任一位發(fā)生錯(cuò)誤,在與G(x)作模2除時(shí),都應(yīng)使余數(shù)不為0
B.校驗(yàn)碼中的不同位發(fā)生錯(cuò)誤時(shí),在與G(x)作模2除時(shí),都應(yīng)使余數(shù)不同
C.用G(x)對(duì)余數(shù)作模2除,應(yīng)能使余數(shù)循環(huán)
D.不同的生成多項(xiàng)式所得的CRC碼的碼距相同,因而檢錯(cuò)、校錯(cuò)能力相同


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在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫(xiě)的程序可以由()進(jìn)行解釋。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問(wèn)的最小單位被稱為()。

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若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是()。

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動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對(duì)于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號(hào)位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來(lái)的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。

題型:?jiǎn)柎痤}

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲(chǔ)器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡(jiǎn)單G.復(fù)雜(1)微程序控制器是通過(guò)()的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。(2)微程序控制器的控制信號(hào)被讀出后,還需經(jīng)過(guò)一個(gè)()送到被控制部件。(3)相對(duì)硬連線控制器,微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)()。(4)為了獲得快一些的運(yùn)行速度,控制器部件應(yīng)選擇()。(5)()是微程序控制器的核心部件。

題型:?jiǎn)柎痤}

RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電,使得RAM成為了()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計(jì)算D.數(shù)據(jù)計(jì)算E.控制器設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單F.控制器設(shè)計(jì)復(fù)雜(1)一個(gè)指令周期中,()是每一條指令都必須執(zhí)行的,所完成的功能對(duì)所有指令都相同。(2)一個(gè)指令周期中,()對(duì)多數(shù)指令所完成的功能是類似的。(3)一條指令在執(zhí)行過(guò)程中,一定要完成()并保存,以保證程序自動(dòng)連續(xù)執(zhí)行。(4)指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是()。(5)指令流水線方式是提高計(jì)算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施,但它的()。

題型:?jiǎn)柎痤}

將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題