問答題
電路如圖所示。設(shè)晶體三極管的參數(shù)相同,發(fā)射結(jié)面積相同。且有Ia>>IB1,Ib>>IB4,試?yán)每鐚?dǎo)線性原理,推導(dǎo)出Io/Ii關(guān)系式。
您可能感興趣的試卷
最新試題
與變壓器耦合放大器相比,RC耦合放大器具有()的特點(diǎn)。
題型:單項(xiàng)選擇題
要改善分壓式偏置電路的溫度特性,可以用一個(gè)()的熱敏電阻與上偏置電阻RB1并聯(lián)。
題型:單項(xiàng)選擇題
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是()
題型:單項(xiàng)選擇題
不加反饋電路的集成運(yùn)算放大器只能做()。
題型:單項(xiàng)選擇題
哪一種傳輸器件傳輸?shù)碾姴l率高?()
題型:單項(xiàng)選擇題
場效應(yīng)管的工作是通過()實(shí)現(xiàn)的。
題型:單項(xiàng)選擇題
組成多級(jí)放大器的目的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
對于半導(dǎo)體材料,隨溫度升高:()
題型:單項(xiàng)選擇題
一般通過改變()來調(diào)整多諧振蕩器的頻率。
題型:單項(xiàng)選擇題
與混頻前的高頻相比中頻信號(hào)的()未發(fā)生變化。
題型:單項(xiàng)選擇題