如圖是MOSFET電路測(cè)試時(shí)晶體管毫伏表的截圖，以下更準(zhǔn)確的是（）。

圖正弦穩(wěn)態(tài)電路，已知u（t）=10cos（t+15°）V，i（t）=2sin（t+45°）A則電路N吸收的平均功率P等于（）。

某個(gè)正弦交流信號(hào)的有效值是0.8V，毫伏表應(yīng)選擇哪一檔進(jìn)行測(cè)量？（）

一個(gè)1V直流電壓源對(duì)一階零狀態(tài)RC電路充電一個(gè)τ后，再放電一個(gè)τ，此時(shí)電容電壓為（）。

測(cè)量示波器相位差時(shí)顯示的兩路波形如圖所示，為了能正確測(cè)量，應(yīng)適當(dāng)調(diào)節(jié)面板中哪個(gè)旋鈕？（）

?N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是（）。

一個(gè)線性非時(shí)變單口網(wǎng)絡(luò)，開(kāi)路電壓6V，短路電流1A。外接一個(gè)（）電阻可從單口網(wǎng)絡(luò)獲得最大功率，最大功率是（）。

測(cè)量電容元件的電壓電流相位關(guān)系時(shí)，示波器測(cè)量波形如圖所示，下面哪種說(shuō)法正確？（）

測(cè)試低通濾波器的幅頻特性曲線時(shí)，此處假設(shè)截止頻率是大于500Hz的，如下哪種說(shuō)法不正確？（）

測(cè)試MOSFET放大電路放大倍數(shù)時(shí)，通常不能采用以下哪種做法？（）