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問答題 已知圖所示電路中，晶體管β=100，r_be=1.4kΩ。
（1）現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降U_CEQ=6V，估算R_b；
（2）若測得U_i和U_o的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻R_L為多少？

1.問答題 電路如圖所示，T_l管的低頻跨導(dǎo)為g_m，T_l和T₂管d-s間的動態(tài)電阻分別為r_ds1和r_ds2。試求解電壓放大倍數(shù)Au=Δu_O/Δu_I的表達(dá)式。

2.問答題 若將圖所示電路中的NPN管換成PNP管，其它參數(shù)不變，則為使電路正常放大電源應(yīng)作如何變化？ Q點(diǎn)、A_u、R_i和R_o變化嗎？如變化，則如何變化？若輸出電壓波形底部失真，則說明電路產(chǎn)生了什么失真，如何消除？

3.問答題 電路如圖所示，晶體管的β=80，r=100Ω。分別計(jì)算R_L=∞和R_L=3kΩ時(shí)的Q點(diǎn)、A_u、R_i和R_o。

在空載和帶負(fù)載情況下，電路的靜態(tài)電流、r_be均相等，它們分別為：

4.問答題 多路電流源電路如圖所示，已知所有晶體管的特性均相同，U_BE均為0.7V。試求I_C1、I_C2各為多少。

5.問答題 已知幾個(gè)集成運(yùn)放的參數(shù)如表所示，試分別說明它們各屬于哪種類型的運(yùn)放。

A₁為通用型運(yùn)放，A₂為高精度型運(yùn)放，A₃為高阻型運(yùn)放，A₄為高速型運(yùn)放。