A.產(chǎn)生同方向之磁場(chǎng)以阻止磁通減少
B.產(chǎn)生同方向之磁碭以反抗磁通之增加
C.產(chǎn)生反方向之磁場(chǎng)以阻止磁通之減少
D.產(chǎn)生反方向之磁場(chǎng)以反抗磁通之增加
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如圖所示電路,求a、b兩端的總電感Lab=()
A.3H
B.4H
C.5H
D.6H
A.2
B.4
C.6
D.8
如圖所示,鐵心的BC=0.5Wb/m2,假設(shè)鐵心與氣隙之截面積相同,求在氣隙中之磁場(chǎng)強(qiáng)度為何()
A.1.78×105AT/m
B.3.98×105AT/m
C.5.64×105AT/m
D.7.13×105AT/m
如圖所示,C1為33μF,充滿電后,把開(kāi)關(guān)S由A移至B點(diǎn),則C1之電壓降為75V后達(dá)穩(wěn)定,假設(shè)C2之初電壓為零,則C2值為()
A.44μF
B.33μF
C.22μF
D.11μF
A.1V
B.10V
C.100V
D.1000V
最新試題
流過(guò)電容的電流與()成正比。
關(guān)于基爾霍夫電流定律(KCL),下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯(cuò)誤的是()。
?下列對(duì)集成運(yùn)放失調(diào)參數(shù)描述合理的是()。
?帶通濾波器的品質(zhì)因數(shù)Q取決于()。
換路時(shí),下列哪些量是不能躍變的?()
關(guān)于直流電路,下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
關(guān)于電路模型,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
電路如圖所示,則()。
電路如圖所示,運(yùn)算放大器的飽和電壓為±12V,雙向穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為±6V,設(shè)正向壓降為零,當(dāng)輸入電壓Vi=2sinωtV時(shí),輸出電壓VO應(yīng)為()。