從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的（）組成的。

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

計算機(jī)的I/O接口是（）之間的交接界面。

在計算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）

主存儲器通常由以下哪些部分組成？（）

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計算D.數(shù)據(jù)計算E.控制器設(shè)計簡單F.控制器設(shè)計復(fù)雜（1）一個指令周期中，（）是每一條指令都必須執(zhí)行的，所完成的功能對所有指令都相同。（2）一個指令周期中，（）對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。（3）一條指令在執(zhí)行過程中，一定要完成（）并保存，以保證程序自動連續(xù)執(zhí)行。（4）指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是（）。（5）指令流水線方式是提高計算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施，但它的（）。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

在現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫的程序可以由（）進(jìn)行解釋。