動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。

存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒有。

（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對(duì)于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號(hào)位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來(lái)的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.存儲(chǔ)矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲(chǔ)器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性（1）無(wú)論是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器還是靜態(tài)存儲(chǔ)器，都是由（）、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。（2）在Cache的三種映像方式中，（）實(shí)際上是對(duì)另外兩種映像方式的折中，是它們的普遍形式。（3）計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中，（）是解決運(yùn)行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。（4）虛擬存儲(chǔ)器有三種地址空間，其中（）用于存放運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。（5）多級(jí)結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器系統(tǒng)，是建立在程序運(yùn)行的（）原理之上的。

寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。

主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成？（）