單項(xiàng)選擇題單相半控橋電感性負(fù)載電路中,在負(fù)載兩端并聯(lián)一個(gè)續(xù)流二極管的目的是()。

A.增加晶閘管的導(dǎo)電能力
B.抑制溫漂
C.增加輸出電壓穩(wěn)定性
D.防止失控現(xiàn)象的產(chǎn)生


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1.單項(xiàng)選擇題下列不是IGBT的電極是()。

A.G
B.C
C.E
D.B

2.單項(xiàng)選擇題逆導(dǎo)晶閘管是將大功率二極管與()集成在一個(gè)管芯上而成。

A.大功率三極管
B.晶閘管
C.雙向晶閘管
D.GTO

4.單項(xiàng)選擇題電阻性負(fù)載的特點(diǎn)是電壓與電流()。

A.同相
B.相差300
C.相差600
D.相差900

6.單項(xiàng)選擇題單相橋式全控整流電路阻感性負(fù)載移相范圍為()。

A.0---1800
B.0---900
C.0---1200
D.0---1500

7.單項(xiàng)選擇題單相橋式全控整流電路電阻性負(fù)載移相范圍為()。

A.0---1800
B.0---600
C.0---1200
D.0---1500

9.單項(xiàng)選擇題單相半波可控整流電路電阻性負(fù)載時(shí),移相范圍是()。

A.0---1800
B.0---600
C.0---1200
D.0---1500

10.單項(xiàng)選擇題將一個(gè)晶閘管和一個(gè)二極管反并聯(lián)集成在同一硅片上的器件為()。

A.快速二極管
B.雙向晶閘管
C.光控晶閘管
D.逆導(dǎo)晶閘管