單項(xiàng)選擇題下列器件中為全控型器件的是()。

A.雙向晶閘管
B.快速晶閘管
C.光控晶閘管
D.功率場效應(yīng)晶體管


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1.單項(xiàng)選擇題已知晶閘管型號為KP100-12G,則額定電壓為()。

A.12V
B.120V
C.1200V
D.1000V

2.單項(xiàng)選擇題已知晶閘管型號為KP100-12G,則額定電流為()。

A.12A
B.120A
C.100A
D.1000A

3.單項(xiàng)選擇題單相半控橋電感性負(fù)載電路中,在負(fù)載兩端并聯(lián)一個(gè)續(xù)流二極管的目的是()。

A.增加晶閘管的導(dǎo)電能力
B.抑制溫漂
C.增加輸出電壓穩(wěn)定性
D.防止失控現(xiàn)象的產(chǎn)生

4.單項(xiàng)選擇題下列不是IGBT的電極是()。

A.G
B.C
C.E
D.B

5.單項(xiàng)選擇題逆導(dǎo)晶閘管是將大功率二極管與()集成在一個(gè)管芯上而成。

A.大功率三極管
B.晶閘管
C.雙向晶閘管
D.GTO

7.單項(xiàng)選擇題電阻性負(fù)載的特點(diǎn)是電壓與電流()。

A.同相
B.相差300
C.相差600
D.相差900

9.單項(xiàng)選擇題單相橋式全控整流電路阻感性負(fù)載移相范圍為()。

A.0---1800
B.0---900
C.0---1200
D.0---1500

10.單項(xiàng)選擇題單相橋式全控整流電路電阻性負(fù)載移相范圍為()。

A.0---1800
B.0---600
C.0---1200
D.0---1500

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