動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲(chǔ)信息的。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲(chǔ)器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復(fù)雜（1）微程序控制器是通過（）的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。（2）微程序控制器的控制信號被讀出后，還需經(jīng)過一個(gè)（）送到被控制部件。（3）相對硬連線控制器，微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)（）。（4）為了獲得快一些的運(yùn)行速度，控制器部件應(yīng)選擇（）。（5）（）是微程序控制器的核心部件。

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

在堆棧計(jì)算機(jī)中，保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場所是（）。

計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個(gè)符號位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號位進(jìn)位，或符號位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的（）操作來判斷。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計(jì)算D.數(shù)據(jù)計(jì)算E.控制器設(shè)計(jì)簡單F.控制器設(shè)計(jì)復(fù)雜（1）一個(gè)指令周期中，（）是每一條指令都必須執(zhí)行的，所完成的功能對所有指令都相同。（2）一個(gè)指令周期中，（）對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。（3）一條指令在執(zhí)行過程中，一定要完成（）并保存，以保證程序自動(dòng)連續(xù)執(zhí)行。（4）指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是（）。（5）指令流水線方式是提高計(jì)算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施，但它的（）。