硅太陽(yáng)能電池一般制成p+/n型結(jié)構(gòu)或n+/P型結(jié)構(gòu)。

在太陽(yáng)或其他光照射時(shí)，太陽(yáng)能電池輸出電壓的極性，p區(qū)一側(cè)電極為負(fù)，n區(qū)一側(cè)電極為正。

異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)是在P型基片上，覆蓋一層n型頂區(qū)層，兩者的交界面構(gòu)成一個(gè)異質(zhì)結(jié)，然后在頂區(qū)層下面制作柵狀金屬電場(chǎng)，正背制作底面金屬電極。

單晶硅錠的制備方法很多，目前國(guó)內(nèi)外在生產(chǎn)中主要采用溶體直拉法和輝光放電法。

在含有三價(jià)元素的半導(dǎo)體中，空穴的數(shù)目遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出電子的數(shù)目，半導(dǎo)體的導(dǎo)體主要是空穴決定的，導(dǎo)電方向與電場(chǎng)方向相反，這樣的半導(dǎo)體叫做p型半導(dǎo)體。

控制器是光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部件之一。

甲醇常溫下呈氣態(tài)。

無(wú)倒流系統(tǒng)是指光伏發(fā)電系統(tǒng)的功率始終小于或等于負(fù)載，電力不夠時(shí)有電網(wǎng)提供，即光伏系統(tǒng)與電網(wǎng)形成并聯(lián)向負(fù)載供電。

多晶硅的鑄錠工藝主要有定向凝固法和澆鑄法兩種。

利用化學(xué)氣相沉積法和物理氣相沉積法均可以獲得非晶硅膜。