單晶硅錠的制備方法很多，目前國內(nèi)外在生產(chǎn)中主要采用溶體直拉法和輝光放電法。

由于核電站安全要求高，系統(tǒng)復(fù)雜，建設(shè)周期長，所以，核電站造價(jià)遠(yuǎn)高于火力發(fā)電廠發(fā)電，其燃料費(fèi)用相對(duì)較高。

太陽光伏發(fā)電的初投資小。

美國建成第一座核電站。

在含有三價(jià)元素的半導(dǎo)體中，空穴的數(shù)目遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出電子的數(shù)目，半導(dǎo)體的導(dǎo)體主要是空穴決定的，導(dǎo)電方向與電場方向相反，這樣的半導(dǎo)體叫做p型半導(dǎo)體。

多晶硅的鑄錠工藝主要有定向凝固法和澆鑄法兩種。

獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)指的是僅僅依靠太陽能電池供電的光伏發(fā)電系統(tǒng)。

異質(zhì)結(jié)太陽能電池的結(jié)構(gòu)是在P型基片上，覆蓋一層n型頂區(qū)層，兩者的交界面構(gòu)成一個(gè)異質(zhì)結(jié)，然后在頂區(qū)層下面制作柵狀金屬電場，正背制作底面金屬電極。

太陽能光伏發(fā)電取之不盡，用之不竭。

太陽能電池方陣是由多塊太陽能電池組件串聯(lián)、并聯(lián)構(gòu)成陣列。