A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏
B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏
C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏
D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏
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A.導(dǎo)通狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.截止?fàn)顟B(tài)
D.不確定
A.導(dǎo)通狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.截止?fàn)顟B(tài)
D.不確定
A.PNP型鍺管
B.NPN型鍺管
C.PNP型硅管
D.NPN型硅管
A.正向?qū)▍^(qū)
B.截止區(qū)
C.反向擊穿區(qū)
D.死區(qū)
下圖所示電路中二極管D1和D2的導(dǎo)通電壓均為0.7V，當(dāng)U1=10V，U2=5V時(shí)，可以判斷出（）。
A.D1截止，D2導(dǎo)通
B.D1導(dǎo)通，D2截止
C.D1導(dǎo)通，D2導(dǎo)通
D.D1截止，D2截止
最新試題
兩個(gè)電阻R1和R2串聯(lián)，若R1∶R2＝1∶2，則通過它們的電流I1∶I2為（）
與線性電感的電感量有關(guān)的因素是（）
容抗與正弦電流的頻率成反比，頻率越高，容抗越小，因此電容器對(duì)高頻電流阻礙作用較小。（）
CP上升沿到來時(shí)，主觸發(fā)器控制門封鎖，在CP=0期間接收的內(nèi)容被存儲(chǔ)起來。同時(shí)，從觸發(fā)器控制門被打開，主觸發(fā)器將其接收的內(nèi)容送入從觸發(fā)器，輸出端狀態(tài)隨之改變。（）
74LS00的芯片是一個(gè)14個(gè)引腳的芯片，在這個(gè)芯片的內(nèi)部含有4個(gè)與非門。（）
三相異步電動(dòng)機(jī)的電磁轉(zhuǎn)矩與轉(zhuǎn)差率之間是關(guān)系曲線不是機(jī)械特性曲線。（）
將毫伏表改裝成一個(gè)大量程的伏特表需（）
下列表達(dá)方式中，（）不可以用來描述觸發(fā)器的邏輯功能。
判斷載流導(dǎo)體在磁場(chǎng)中受力的方向用（）
下列不屬于電路狀態(tài)的是（）