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問答題在下圖所示電路中，若Ce突然開路，則中頻電壓放大倍數(shù)A_usm、f_H和f_L各產(chǎn)生什么變化（是增大、減小、還是基本不變）？為什么？

參考答案：
f_L減小。因?yàn)樯倭艘粋€(gè)影響低頻特性的電容。
f_H增大。...

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1.問答題 在下圖（b）所示電路中，若要求C₁與C₂所在回路的時(shí)間常數(shù)相等，且已知r_be=lkΩ，則C₁：C₂=？若C₁與C₂所在回路的時(shí)間常數(shù)均為25ms，則C₁、C₂各為多少？下限頻率f_L=？

參考答案：

2.單項(xiàng)選擇題 電路如圖所示。已知：晶體管的β、r_bb’、C_μ均相等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。

高頻特性最差即上限頻率最低的電路是（）

A.（a）
B.（b）
C.（c）
D.（d）

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3.單項(xiàng)選擇題 電路如圖所示。已知：晶體管的β、r_bb’、C_μ均相等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。

低頻特性最好即下限頻率最低的電路是（）

A.（a）
B.（b）
C.（c）
D.（d）

點(diǎn)擊查看答案

4.單項(xiàng)選擇題 電路如圖所示。已知：晶體管的β、r_bb’、C_μ均相等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。

低頻特性最差即下限頻率最高的電路是（）

A.（a）
B.（b）
C.（c）
D.（d）

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5.填空題 在圖所示電路中，已知晶體管的r_bb’、C_μ、C_π，Ri≈r_be。
（1）在空載情況下，下限頻率的表達(dá)式f_L≈（）。當(dāng)R_S減小時(shí)，f_L將（），當(dāng)帶上負(fù)載電阻后，f_L將（）。
（2）在空載情況下，若b-e間等效電容為C’_π，則上限頻率的表達(dá)式f_H≈（），當(dāng)R_S為零時(shí)，f_H將（），當(dāng)R_b減小時(shí)， g_m將（），C’_π將（），f_H將（）。

參考答案：

；增大；基本不變；；增大；增大；增大；減小