單項選擇題（）具有不同的低頻小信號電路模型。
A.NPN型管和PNP型管
B.增強型場效應管和耗盡型場效應管
C.N溝道場效應管和P溝道場效應管
D.晶體管和場效應管
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1.單項選擇題輸入（）時，可利用H參數(shù)小信號電路模型對放大電路進行交流分析。
A.正弦小信號
B.低頻大信號
C.低頻小信號
D.高頻小信號
2.單項選擇題根據(jù)國產(chǎn)半導體器件型號的命名方法可知，3DG6為（）。
A.NPN型低頻小功率硅晶體管
B.NPN型高頻小功率硅晶體管
C.PNP型低頻小功率鍺晶體管
D.NPN型低頻大功率硅晶體管
3.單項選擇題
某NPN型管電路中，測得UBE=0V，UBC=—5V，則可知管子工作于（）狀態(tài)。
A.放大
B.飽和
C.截止
D.不能確定