單項選擇題為限制功率晶體管的飽和深度,減小存儲時間,恒流驅(qū)動電路經(jīng)常采用()。

A.抑制電路
B.抗飽和電路
C.吸收電路


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1.單項選擇題

對于單相交交變頻電路如下圖,在t1~t2時間段內(nèi),P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是()。

A.P組阻斷,N組整流
B.P組阻斷,N組逆變
C.N組阻斷,P組整流
D.N組阻斷,P組逆變

3.單項選擇題

單相橋式PWM逆變電路如下圖,單極性調(diào)制工作時,在電壓的正半周是()。

A.V1與V4導通,V2與V3關斷
B.V1常通,V2常斷,V3與V4交替通斷
C.V1與V4關斷,V2與V3導通
D.V1常斷,V2常通,V3與V4交替通斷

4.單項選擇題電流型逆變器中間直流環(huán)節(jié)貯能元件是()。

A.電容
B.電感
C.蓄電池
D.電動機

5.單項選擇題快速熔斷器可以用于過電流保護的電力電子器件是()。

A.功率晶體管
B.IGBT
C.功率MOSFET
D.晶閘管