單項(xiàng)選擇題VSP 測(cè)井的機(jī)械干擾通常隨測(cè)量深度的增加而()。

A.變大
B.恒定
C.降低
D.穩(wěn)定


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2.單項(xiàng)選擇題脈沖中子測(cè)井采用的加速器中子源為()。

A.37Li+11P
B.11H+11P
C.11H+12d
D.13H+12d

4.單項(xiàng)選擇題儲(chǔ)層飽和度測(cè)井儀RST 是()公司生產(chǎn)的。

A.斯侖貝謝
B.阿特拉斯
C.哈里伯頓
D.康普樂(lè)

5.單項(xiàng)選擇題脈沖中子衰減能譜PND-S 測(cè)井儀是()公司生產(chǎn)的。

A.斯侖貝謝
B.阿特拉斯
C.哈里伯頓
D.康普樂(lè)