常見的非線性光學(xué)現(xiàn)象包括（）、（）和（）。

半導(dǎo)體對光的吸收以及與之有關(guān)的光電離過程只能直接改變電子和空穴的數(shù)量與能量，為了出現(xiàn)光電勢，還必須具備一定的附加條件，以使光生電子和空穴能夠在空間分開。在不均勻半導(dǎo)體中，必須（），在均勻半導(dǎo)體中，必須具備另外一些附加條件，比如（）或（）。

對顆粒涂布型磁存儲材料，假定單疇退磁場能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個臨界半徑R0，當(dāng)顆粒半徑R>R0時，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當(dāng)R0時，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系

激光器主要由（）、（）和（）組成。

激子吸收

光與半導(dǎo)體的相互作用與半導(dǎo)體的種類、入射光的波長和強度有關(guān)。

雜質(zhì)吸收與激子吸收相同，都導(dǎo)致電子在能帶與能帶之間躍遷。

光盤是用（）寫入信息、讀出信息的存儲器件。

鐵電性

本征吸收一定在本征半導(dǎo)體中才會發(fā)生。