對顆粒涂布型磁存儲材料，假定單疇退磁場能Ed與多疇結構的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個臨界半徑R0，當顆粒半徑R>R0時，顆粒為多疇結構；當R0時，顆粒為單疇結構。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個不同顆粒直徑范圍內矯頑力MHc與顆粒直徑d的關系

（）是半導體光電子材料中發(fā)生的一種外光電效應。

半導體對光的吸收以及與之有關的光電離過程只能直接改變電子和空穴的數(shù)量與能量，為了出現(xiàn)光電勢，還必須具備一定的附加條件，以使光生電子和空穴能夠在空間分開。在不均勻半導體中，必須（），在均勻半導體中，必須具備另外一些附加條件，比如（）或（）。

紅外探測器材料分為（）和（）兩大類。

功能陶瓷在形成固溶結構時，在結構不變的情況下，半徑相當?shù)碾x子最容易置換固溶。

下面不是非線性光學現(xiàn)象的是（）

功能陶瓷在形成固溶結構時，鍵型相似的物質有利于固溶。

光折變效應的大小只與入射光的能量有關，而與光強無關。

光盤是用（）寫入信息、讀出信息的存儲器件。

信息存儲材料大體上可以分為（）、（）和（）三種。