電光效應就是光電效應的另一個說法。

雜質(zhì)吸收與激子吸收相同，都導致電子在能帶與能帶之間躍遷。

功能陶瓷在形成固溶結(jié)構(gòu)時，在結(jié)構(gòu)不變的情況下，半徑相當?shù)碾x子最容易置換固溶。

光與半導體的相互作用與半導體的種類、入射光的波長和強度有關(guān)。

全息存儲只存儲物光的強度分布，不記錄物光的相位分布。

利用壓電材料的逆壓電效應可以制備力傳感器。

紅外探測器材料分為（）和（）兩大類。

磁存儲的模式主要有（）

對顆粒涂布型磁存儲材料，假定單疇退磁場能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個臨界半徑R0，當顆粒半徑R>R0時，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當R0時，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系

粒子數(shù)反轉(zhuǎn)