鐵電性

磁存儲(chǔ)系統(tǒng)一般都包括（）

激子吸收

光折變效應(yīng)的大小只與入射光的能量有關(guān)，而與光強(qiáng)無關(guān)。

電介質(zhì)材料（）

全息存儲(chǔ)只存儲(chǔ)物光的強(qiáng)度分布，不記錄物光的相位分布。

非線性光學(xué)晶體按物理效應(yīng)可分（）、（）和（）。

對(duì)顆粒涂布型磁存儲(chǔ)材料，假定單疇退磁場(chǎng)能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個(gè)臨界半徑R0，當(dāng)顆粒半徑R>R0時(shí)，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當(dāng)R0時(shí)，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個(gè)不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系

電光效應(yīng)就是光電效應(yīng)的另一個(gè)說法。

雜質(zhì)吸收與激子吸收相同，都導(dǎo)致電子在能帶與能帶之間躍遷。