信息存儲(chǔ)材料大體上可以分為（）、（）和（）三種。

粒子數(shù)反轉(zhuǎn)

半導(dǎo)體對(duì)光的吸收以及與之有關(guān)的光電離過程只能直接改變電子和空穴的數(shù)量與能量，為了出現(xiàn)光電勢(shì)，還必須具備一定的附加條件，以使光生電子和空穴能夠在空間分開。在不均勻半導(dǎo)體中，必須（），在均勻半導(dǎo)體中，必須具備另外一些附加條件，比如（）或（）。

對(duì)顆粒涂布型磁存儲(chǔ)材料，假定單疇退磁場(chǎng)能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個(gè)臨界半徑R0，當(dāng)顆粒半徑R>R0時(shí)，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當(dāng)R0時(shí)，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個(gè)不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系

（）可以用于畸變像復(fù)原。

壓電材料與鐵電材料的關(guān)系是（）

異質(zhì)結(jié)太陽能電池通常（）。

光盤是用（）寫入信息、讀出信息的存儲(chǔ)器件。

紅外探測(cè)器材料分為（）和（）兩大類。

激光固有的四大特征分別是（）、（）、（）和（）。