磁存儲系統(tǒng)一般都包括（）

對顆粒涂布型磁存儲材料，假定單疇退磁場能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個臨界半徑R0，當顆粒半徑R>R0時，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當R0時，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系

全息存儲只存儲物光的強度分布，不記錄物光的相位分布。

鐵電性

利用壓電材料的逆壓電效應(yīng)可以制備力傳感器。

電介質(zhì)材料（）

介質(zhì)電極化的機制包括（）、（）、（）、（）、（）等。

半導(dǎo)體對光的吸收以及與之有關(guān)的光電離過程只能直接改變電子和空穴的數(shù)量與能量，為了出現(xiàn)光電勢，還必須具備一定的附加條件，以使光生電子和空穴能夠在空間分開。在不均勻半導(dǎo)體中，必須（），在均勻半導(dǎo)體中，必須具備另外一些附加條件，比如（）或（）。

壓電材料與鐵電材料的關(guān)系是（）

異質(zhì)結(jié)太陽能電池通常（）。