半導(dǎo)體對光的吸收以及與之有關(guān)的光電離過程只能直接改變電子和空穴的數(shù)量與能量，為了出現(xiàn)光電勢，還必須具備一定的附加條件，以使光生電子和空穴能夠在空間分開。在不均勻半導(dǎo)體中，必須（），在均勻半導(dǎo)體中，必須具備另外一些附加條件，比如（）或（）。

壓電材料與鐵電材料的關(guān)系是（）

本征吸收一定在本征半導(dǎo)體中才會(huì)發(fā)生。

磁存儲(chǔ)的模式主要有（）

激光器主要由（）、（）和（）組成。

電介質(zhì)材料（）

光與半導(dǎo)體的相互作用與半導(dǎo)體的種類、入射光的波長和強(qiáng)度有關(guān)。

電光效應(yīng)就是光電效應(yīng)的另一個(gè)說法。

對顆粒涂布型磁存儲(chǔ)材料，假定單疇退磁場能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個(gè)臨界半徑R0，當(dāng)顆粒半徑R>R0時(shí)，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當(dāng)R0時(shí)，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個(gè)不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系

異質(zhì)結(jié)太陽能電池通常采用什么樣的結(jié)構(gòu)？為什么？