單項(xiàng)選擇題微機(jī)保護(hù)硬件中RAM的作用是()。

A.存放微機(jī)保護(hù)的動(dòng)作報(bào)告信息等內(nèi)容
B.存放保護(hù)整定值
C.常用于存放采樣數(shù)據(jù)和計(jì)算的中間結(jié)果、標(biāo)志字等信息
D.存放保護(hù)的軟件


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1.單項(xiàng)選擇題為了驗(yàn)證中阻抗母差保護(hù)的動(dòng)作正確性,可按以下方法進(jìn)行帶負(fù)荷試驗(yàn)。()

A.短接負(fù)荷電流最大連接元件一相母差TA的二次側(cè),并在可靠短接后斷開輔助變流器一次側(cè)與母差TA二次的連線
B.短接一相母差TA的二次側(cè),模擬母線故障
C.短接一相輔助變流器的二次側(cè),模擬母線故障
D.短接一相母差TA的二次側(cè)并短接該相輔助變流器的二次側(cè),模擬母線故障

2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)母線內(nèi)部故障有電流流出時(shí),為確保母線保護(hù)有足夠靈敏度,應(yīng)()。

A.適當(dāng)增大差動(dòng)保護(hù)的比率制動(dòng)系數(shù)
B.適當(dāng)減小差動(dòng)保護(hù)的比率制動(dòng)系數(shù)
C.適當(dāng)降低差動(dòng)保護(hù)的動(dòng)作門檻值
D.適當(dāng)提高差動(dòng)保護(hù)的動(dòng)作門檻值

4.單項(xiàng)選擇題輸電線高頻通道中由于使用了阻波器而引起通道衰耗是()

A.傳輸衰耗
B.反射衰耗
C.分流衰耗
D.回波衰耗

最新試題

中性點(diǎn)直接接地系統(tǒng)中其中某線路,正常負(fù)荷電流Ifh為810.0A,已知零序保護(hù)的接線方式如圖所示,其中CT變比nCT為600/5,則當(dāng)正常運(yùn)行情況下,有一只CT極性二次接線接反,求則此時(shí)流過繼電器的電流。(小數(shù)點(diǎn)后保留兩位)

題型:?jiǎn)柎痤}

光纖縱聯(lián)電流差動(dòng)保護(hù)產(chǎn)生不平衡電流的因素有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

高頻信號(hào)的衰耗主要分為()。

題型:多項(xiàng)選擇題

在綜合重合閘中,通常采用短延時(shí)和長(zhǎng)延時(shí)兩種不同的重合閘時(shí)間,這樣做的原因是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

有一臺(tái)降壓變壓器額定容量Se為3200KVA,電壓為35±2×2.5%/6.3KV,Ud=7%,系統(tǒng)阻抗忽略不計(jì),繼電器采用不完全星形接線,計(jì)算高壓側(cè)的額定電流以及電流速斷保護(hù)的一次動(dòng)作值。(采用電磁型繼電器,可靠系數(shù)取1.4)。(保留小數(shù)點(diǎn)后一位)

題型:?jiǎn)柎痤}

雙母接線的母差保護(hù)具有大差和小差,下列說法正確的是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

圖是旁路代主變斷路器的二次電壓切換圖

題型:判斷題

圖中標(biāo)出的阻抗為正序(負(fù)序)電抗,設(shè)各元件阻抗角為90度,變壓器的勵(lì)磁阻抗為無窮大、輸電線路零序電抗為正序電抗的三倍,所有參數(shù)均已歸算到Es=Er=1MN線路所在的系統(tǒng)側(cè)。計(jì)算當(dāng)N母線發(fā)生A相金屬性單相接地短路時(shí)流過MN線路的三相電流IA,IB,IC以及M母線的A相電壓UMA。(保留小數(shù)點(diǎn)后三位)

題型:?jiǎn)柎痤}

LFP902A裝置在距離保護(hù)中引入振蕩閉鎖??煽块]鎖保護(hù)的情況是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

智能變電站系統(tǒng)的過程層設(shè)備包含由一次設(shè)備和智能組件構(gòu)成的()。

題型:多項(xiàng)選擇題