A、100ms
B、50ms
C、150ms
D、200ms
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A、發(fā)射出去的功率降低
B、上下行覆蓋收縮
C、產(chǎn)生系統(tǒng)間干擾
D、邊緣速率下降
A、部署快、對(duì)現(xiàn)有HLR基本無(wú)影響
B、一般需要多點(diǎn)開(kāi)通,流程長(zhǎng)、效率低
C、可根據(jù)LTE用戶數(shù)增長(zhǎng)迅速新建HSS
D、HLR,HSS都不需要新增特定功能
A、Sh接口
B、Zh接口
C、Zn接口
D、Cx接口
A、承載網(wǎng)
B、接入網(wǎng)
C、傳輸網(wǎng)
D、信令網(wǎng)
A、上行低噪抬升
B、處理時(shí)延大
C、降低宏站容量
D、回傳鏈路容量受限
最新試題
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線資源。
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
有關(guān)LTE網(wǎng)絡(luò)無(wú)線鏈路失?。≧LF),下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
TAC越大,尋呼信道容量越小。
用以測(cè)試駐波的儀器是(),一般駐波比小于()為正常。
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí),不允許發(fā)起TAU流程。
LTE只需要考慮不遺漏鄰區(qū),而不需要嚴(yán)格按照信號(hào)強(qiáng)度來(lái)排序相鄰小區(qū)。
采用符號(hào)關(guān)閉的節(jié)能方式時(shí),業(yè)務(wù)信道所在符號(hào)均可根據(jù)負(fù)荷情況關(guān)閉。
無(wú)線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃內(nèi)容包括()。