多項(xiàng)選擇題GBR/Non-GBRbearer、QCI描述正確的()

A、default-bearer一定是Non-GBRbearer
B、delicatedbearer一定是GBRbearer
C、Non-GBRbearer可以對(duì)應(yīng)QCI6、7、8、9
D、QCI5一定是delicated-bearer


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1.多項(xiàng)選擇題以下TD-LTE不同場(chǎng)景的站間距規(guī)劃建議中，哪些比較合理():

A、中心商務(wù)區(qū):中心商業(yè)區(qū):政務(wù)區(qū):密集居民區(qū)建議站間距400～500米;
B、一般市區(qū)建議站間距500～600米;
C、景區(qū)建議站間距300～500米;
D、高速公路建議站間距800～1000米;

2.多項(xiàng)選擇題TD-LTE關(guān)鍵技術(shù)包括哪些

A、OFDM技術(shù)
B、上行SC-FDMA技術(shù)
C、MIMO多天線技術(shù)
D、下行SC-OFDMA技術(shù)

3.多項(xiàng)選擇題下行多天線技術(shù)包括

A、空間復(fù)用
B、傳輸分集
C、波束賦形
D、時(shí)間復(fù)用

4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于陰影說衰落的正確的說法有

A、陰影衰落又叫慢衰落
B、陰影衰落對(duì)系統(tǒng)的影響可以不用考慮
C、這種慢衰落的規(guī)律，其中值變動(dòng)服從對(duì)數(shù)正態(tài)分布
D、電波傳播路徑上遇有高大建筑物、樹林、地形起伏等障礙物的阻擋，就會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)的陰影衰落

5.多項(xiàng)選擇題影響LTE系統(tǒng)容量的因素有（）

A、系統(tǒng)帶寬
B、子幀配比
C、多天線技術(shù)
D、ICIC調(diào)度與功控