A、NAS層
B、RRC層
C、PDCP
D、RLC層
E、MAC層
F、PHY層
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A、S8
B、S11
C、S5
D、S10
A、-75
B、-85
C、-105
D、-120
A、CW測(cè)試
B、導(dǎo)頻測(cè)試
C、DT測(cè)試
D、CQT測(cè)試
A、RLC
B、MAC
C、PHY
D、PDCP
A、筆記本終端直接連接LTE網(wǎng)絡(luò)
B、筆記本終端的無線網(wǎng)卡直接連接LTE基站
C、筆記本終端安裝LTE數(shù)據(jù)卡
D、筆記本終端連接CMCC-4G網(wǎng)絡(luò)
最新試題
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
在接入成功率指標(biāo)分析過程中,通過話統(tǒng)Counter,可以執(zhí)行的動(dòng)作為()。
采用符號(hào)關(guān)閉的節(jié)能方式時(shí),業(yè)務(wù)信道所在符號(hào)均可根據(jù)負(fù)荷情況關(guān)閉。
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí),不允許發(fā)起TAU流程。
對(duì)于FDD-LTE,每個(gè)子幀最多只有一個(gè)PRACH資源。
頻譜分析儀的最低噪聲電平和最慢掃描時(shí)間是在最小分辨帶寬下得到的。
站點(diǎn)勘察時(shí)需要收集的信息句括()。
無線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃內(nèi)容包括()。
VOLTE中用戶在IMS注冊(cè)成功后,需要周期性在IMS重注冊(cè)。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。