多項選擇題LTE上行功率控制的方式有()

A、開環(huán)功控
B、閉環(huán)功控
C、外環(huán)功控
D、內(nèi)環(huán)功控


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1.多項選擇題LTE的主要接口有()

A、S1
B、X2
C、Iu
D、Iug

2.多項選擇題LTE的下行控制信道有()

A、PBCH
B、PCFICH
C、PDCCH
D、PHICH
E、PDSCH
F、PMCH

3.多項選擇題LTE操作中涉及多個物理層過程,這些過程包括()

A、小區(qū)搜索
B、功率控制
C、上行同步和下行定時控制
D、隨機接入相關(guān)過程

4.多項選擇題LTETDD物理信道的描述,哪些是正確的()

A、PDSCH,PMCH可支持64QAM
B、一個上行子幀中可以同時存在多個PRACH信道
C、PDCCH,PCFICH以及PHICH映射到子幀中的控制區(qū)域上
D、PDSCH與PBCH可以存在于同一個子幀中

5.多項選擇題E-UTRAN系統(tǒng)中,下述屬于下行物理信道是()

A、PDSCH
B、PBCH和PDCCH
C、PMCH
D、PCFICH