單項選擇題晶體管若用簡化h參數(shù)來分析，可認為是（）控制型器件。
A.電荷
B.電壓
C.電流
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題場效應管屬于（）控制型器件
A.電荷
B.電壓
C.電流
2.單項選擇題在雜質(zhì)半導體中，少數(shù)載流子的濃度與（）有很大關系。
A.溫度
B.摻雜工藝
C.雜質(zhì)濃度
D.晶體管缺陷
3.單項選擇題在雜質(zhì)半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（）
A.溫度
B.摻雜工藝
C.雜質(zhì)濃度
D.晶體管缺陷
4.多項選擇題結型場效應管放大電路的偏置方式是（）
A.自給偏壓電路
B.外加偏壓電路
C.無須偏置電路
D.柵極分壓與源極自偏結合
5.單項選擇題三極管當發(fā)射結和集電結都正偏時工作于（）狀態(tài)。
A. 放大
B. 截止
C. 飽和
D. 無法確定
最新試題
無線電波中的電場與磁場的夾角應為（）。
題型：單項選擇題
N溝道和P溝道結型場效應管所加的柵極控制電壓均為（）。
題型：單項選擇題
功放電路工作在乙類放大，在輸入信號的整個周期內(nèi)：（）
題型：單項選擇題
如圖所示電路，晶體管的β=100，rbe=1kΩ，Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測得靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V，試求Rb阻值。2.若測得和的有效值分別為1mV和100mV，求負載電阻RL大小。
題型：問答題
與變壓器耦合放大器相比，RC耦合放大器具有（）的特點。
題型：單項選擇題
與混頻前的高頻相比中頻信號的（）未發(fā)生變化。
題型：單項選擇題
3個輸入端的加法器，只用了兩個端，不用的一端應（）。
題型：單項選擇題
單邊帶發(fā)射機的優(yōu)點是（）
題型：單項選擇題
單穩(wěn)態(tài)電路輸入一個脈沖后會輸出（）個脈沖。
題型：單項選擇題
微分器的輸出幅度不隨（）變化而變化。
題型：單項選擇題