單項(xiàng)選擇題硅的還原從滴落帶開始，還原的途徑有三種：渣鐵反應(yīng)、渣焦反應(yīng)、氣相SiO2還原，其中（）是硅還原的主要途徑。

A. 渣鐵反應(yīng)
B. 渣焦反應(yīng)
C. 氣相SiO2還原


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1.單項(xiàng)選擇題風(fēng)口前的理論燃燒溫度一般控制在（）℃。

A.1800—2000
B.1900—2300
C.2100—2400
D.2200—2500

2.單項(xiàng)選擇題理論最低直接還原度為（），實(shí)際中高得多。

A.20～30%
B.25～30%
C.30～40%
D.40～50%

3.單項(xiàng)選擇題設(shè)有高，低渣口裝置的高爐，合理放渣口應(yīng)是（）

A.高渣口
B.低渣口
C.高低渣口輪換放
D.不確定

4.單項(xiàng)選擇題一般情況下，高壓高爐比常壓高爐鐵口深度要（）

A.深些
B.淺些
C.相同
D.不確定

5.單項(xiàng)選擇題高爐內(nèi)常用的還原劑有CO，C，（）。

A.N2
B.CH4
C.H2
D.CO2