A.±1.0mm
B.±2.0mm
C.±2.5mm
D.±3.0mm
E.±4.0mm
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你可能感興趣的試題
A.放療護士
B.物理師
C.技師
D.工程師
E.醫(yī)師
A.光子的通量反比于到源的距離
B.光子的通量反比于到源的距離的兩倍
C.光子的通量正比于到源的距離的平方
D.光子的通量反比于源的能量的平方
E.光子的通量反比于到源的距離的平方
A.電子線能量
B.電子劑量率
C.照射野
D.有效源皮距
E.入射角度
A.調(diào)強放射治療是一種特殊的2D放射治療技術(shù)
B.調(diào)強放射治療是目前最先進的適形放射治療技術(shù)
C.調(diào)強放射治療可以在提高腫瘤局部控制率的同時減小正常組織放射性損傷發(fā)生幾率
D.調(diào)強放射治療雖然可以提高腫瘤局部控制率,但不能減小放射性損傷的發(fā)生幾率
E.調(diào)強放射治療的投射設(shè)備較為簡單
A.治療機,包括上半球形防護罩和中央部的機體
B.治療床和移床裝置
C.4種不同規(guī)格的準直器頭盔
D.控制裝置
E.寬度為1cm的40對的多葉準直器
最新試題
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應達到()。
實際患者治療時,無環(huán)重定位技術(shù)的靶點位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
光電效應時入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應因素。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。