問(wèn)答題
制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴(kuò)散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無(wú)限擴(kuò)散），要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問(wèn)需要多長(zhǎng)時(shí)間（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；當(dāng)
）？
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cm2/s和
cm2/s試計(jì)算1000℃的擴(kuò)散系數(shù)，并對(duì)其差別進(jìn)行解釋
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