問(wèn)答題簡(jiǎn)述動(dòng)態(tài)RAM與靜態(tài)RAM特點(diǎn)與用途,DRAM刷新方式與主要優(yōu)點(diǎn)。

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柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

寫(xiě)出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫(xiě)出[X]反,正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對(duì)于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號(hào)位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來(lái)的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。

題型:?jiǎn)柎痤}

計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問(wèn)的最小單位被稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

使用硬件堆棧時(shí),其中()移動(dòng)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

軟件堆棧在工作中()移動(dòng)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題