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問(wèn)答題 如圖10.5所示的磁芯使用硅鋼片疊加而成的。每片硅鋼片的外部尺寸邊長(zhǎng)為4cm，它的內(nèi)部尺寸（繞線窗）邊長(zhǎng)為2cm。硅鋼片的厚度為0.25mm，疊加系數(shù)為0.95。硅鋼片的電阻率ρcore=30μΩ-cm，硅鋼片的磁場(chǎng)相對(duì)滲透度為900。使用該硅鋼片設(shè)計(jì)一個(gè)電感，電感的工作頻率為100Hz，磁芯中的交流磁通密度最大值為ˆB=0.5T。
（a）磁芯的趨膚深度是多少？
（b）由于渦流而導(dǎo)致的磁芯平均功率損耗是多少？

參考答案：

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1.問(wèn)答題 三相全控橋逆變電路，反電動(dòng)勢(shì)電感性負(fù)載，U₂=220V，R=1Ω，L=∞，E_M=﹣400V，β=60°。求：
（1）輸出電壓U_d和輸出電流I_d，晶閘管的額定電壓和額定電流；
（2）當(dāng)L_B=1mH時(shí)輸出電壓和輸出電流，

參考答案：

由于此三相全控橋電路中，L=∞，

2.問(wèn)答題變流器工作于有源逆變狀態(tài)的條件是什么？

參考答案：變流器有源逆變的條件是：
（1）負(fù)載有直流電動(dòng)勢(shì)，其極性必須和晶閘管導(dǎo)通方向一致，其值應(yīng)該大于變流器直流側(cè)的平...

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3.問(wèn)答題在三相橋式全控整流電路中，已知U₂=110V，R_L=0.2Ω，電感足夠大，當(dāng)α=45°時(shí)，試計(jì)算U_d，I_d及流過(guò)晶閘管的電流平均值I_dT和有效值I_T。

參考答案：

4.問(wèn)答題 三相全控橋，反電勢(shì)電感性負(fù)載，E=200V，U₂=220V，R=1Ω，L=∞，α=60°求：
（1）輸出電壓U_d和輸出電流I_d，晶閘管的額定電壓和額定電流；
（2）當(dāng)L_B=1mH時(shí)，輸出電壓和輸出電流，并畫出u_d，i_T1和i_u的波形。

參考答案：

5.問(wèn)答題三相全控橋整流電路，當(dāng)一只晶閘管短路時(shí)，電路會(huì)發(fā)生什么情況？

參考答案：假設(shè)VT₁短路，則當(dāng)晶閘管VT₃或VT₅導(dǎo)通時(shí)，將發(fā)生電源相間短路，使得VT₃、VT₅也可能過(guò)流燒毀。

6.問(wèn)答題三相半波共陰極接法與共陽(yáng)極接法，u，v 兩相的自然換相點(diǎn)是同一點(diǎn)嗎？如果不是，他們?cè)谙辔簧舷嗖疃嗌俣龋?/a>

參考答案：三相半波整流電路的共陰極接法與共陽(yáng)極接法，兩相之間換相的自然換相點(diǎn)不在同一點(diǎn)上。相位相差180°。

7.問(wèn)答題 三相半波整流電路，反電勢(shì)電感性負(fù)載，U₂=100V，R=1Ω，L=∞，α=30°，E=50V，求：
（1）輸出電壓U_d和輸出電流I_d，晶閘管的額定電壓和額定電流；
（2）當(dāng)L_B=1mH時(shí)，輸出電壓和輸出電流，并畫出u_d，u_T1和i_T1的波形。

參考答案：

8.問(wèn)答題三相半波整流電路，電感性負(fù)載，R=2Ω，L=∞，調(diào)節(jié)α達(dá)到維持I_d為恒值250A，已知X_B=0.08Ω供電電壓經(jīng)常在1~1.15U₂范圍內(nèi)變化，求：α和U₂的變化范圍。

參考答案：

由題可知：三相半波整流電路，

9.問(wèn)答題三相半波整流電路，已知U₂=110V，R_L=0.5Ω，大電感負(fù)載，當(dāng)α=45°時(shí)，試計(jì)算U_d，I_d。如果在負(fù)載端并接續(xù)流二極管，試計(jì)算流過(guò)晶閘管的電流平均值I_dT、有效值TI和續(xù)流二極管的電流平均值I_dDR、有效值I_DR。

參考答案：

由輸出電壓平均值的關(guān)系式可求得：

10.問(wèn)答題三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載。已知U₂=220V，R_L=20Ω，當(dāng)α=90°時(shí)，試計(jì)算U_d，I_d。

參考答案：