單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)硅與鍺二極管之比較何者正確？（）
A.硅二極管的逆向峰值電壓遠(yuǎn)高于鍺二極管
B.硅二極管的可工作溫度遠(yuǎn)低于鍺二極管
C.硅二極管的臨界電壓低于鍺二極管
D.硅二極管的反向飽和電流高鍺二極管
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1.單項(xiàng)選擇題稽納二極管（Zener diode）的崩潰電壓參考值為5～6伏特時(shí)，則稽納電壓VZ在6伏特以下時(shí)的溫度系數(shù)為（）
A.正值
B.負(fù)值
C.不變
D.以上皆非
2.單項(xiàng)選擇題
如圖所發(fā)生的電流I稱為（）
A.順向電流
B.逆向電流
C.渦流
D.接觸電流
3.單項(xiàng)選擇題一般正常的二極管，其導(dǎo)通特性為？（）
A.單向?qū)?br />
B.雙向?qū)?br />
C.短路
D.斷路
4.單項(xiàng)選擇題硅二極管的兩端施加直流電壓為0.9伏特，并測(cè)得電流為10毫安，則此二極管的靜態(tài)電阻（）
A.90奧姆
B.90仟奧姆
C.900奧姆
D.100仟奧姆
E.100奧姆
5.單項(xiàng)選擇題稽納二極管（Zener-Diode）使用于穩(wěn)壓時(shí)，是操作在？（）
A.正向?qū)?br />
B.逆向崩潰
C.整流
D.濾波
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