電路如圖所示，已知場效應管VT的U_th=2V，U_（BR）DS=16V、U_（BR）GS=30V，當U_GS=4V、U_DS=5V時的I_D=9mA。請分析這四個電路中的場效應管各工作在什么狀態(tài)（截止、恒流、可變電阻、擊穿）？

電路如圖所示，已知FET的U_th=3V、K_n=0.1mA/V²?，F(xiàn)要求該電路中FET的I_DQ=1.6mA，試求R_d的值應為多大？

電路如圖所示，已知VT在U_GS=5V時的I_D=2.25mA，在U_GS=3V時的I_D=0.25mA?，F(xiàn)要求該電路中FET的V_DQ=2.4V、I_DQ=0.64mA，試求：
（1）管子的K_n和U_th的值；
（2）R_d和R_S的值應各取多大？

試求圖所示每個電路的U_DS，已知|I_DSS|=8mA。

電路如圖所示，MOSFET的U_th=2V，K_n=50mA/V²，確定電路Q點的I_DQ和U_DSQ值。