硅二極管各極電位如圖所示,工作在導(dǎo)通狀態(tài)的是()
A.A
B.B
C.C
D.D
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A.晶體管可以把小能量放大成大能量
B.晶體管可以把小電流放大成大電流
C.晶體管可以把小電壓放大成大電壓
D.晶體管可以用較小電流控制較大電流
A.
B.
C.
D.
A.內(nèi)熱式電烙鐵
B.氣焊烙鐵
C.吸錫電烙鐵
D.恒溫電烙鐵
A.0.5
B.0.8
C.1.0
D.1.5
A.超量程符號(hào)
B.電阻值
C.電流值
D.電位值
最新試題
CP上升沿到來時(shí),主觸發(fā)器控制門封鎖,在CP=0期間接收的內(nèi)容被存儲(chǔ)起來。同時(shí),從觸發(fā)器控制門被打開,主觸發(fā)器將其接收的內(nèi)容送入從觸發(fā)器,輸出端狀態(tài)隨之改變。()
選擇電容器時(shí),除考慮標(biāo)稱容量之外,還要考慮其()
下列表達(dá)方式中,()不可以用來描述觸發(fā)器的邏輯功能。
下列不屬于電路狀態(tài)的是()
電源的電動(dòng)勢(shì)為1.5V,內(nèi)阻為0.5Ω,若外接負(fù)載電阻為37Ω,電路電流和電源端電壓為()
單相變壓器的額定電壓400V,額定電流,50A額定容量()kVA。
電容電路里,電流瞬時(shí)值滯后于電壓瞬時(shí)值90度電角度。()
時(shí)序邏輯電路一般由組合邏輯電路和()電路組成,使之具有記憶功能。
容抗與正弦電流的頻率成反比,頻率越高,容抗越小,因此電容器對(duì)高頻電流阻礙作用較小。()
兩個(gè)電阻R1和R2并聯(lián),若R1=2R2,R1消耗的功率為1W,則R2消耗的功率為()