半徑為b的無(wú)限長(zhǎng)圓柱中，有體密度為ρ₀的電荷，與它偏軸地放有一半徑為a的無(wú)限長(zhǎng)圓柱空洞，兩者軸線平行且距離為d，如下圖所示，求空洞內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度。

真空中的兩電荷的量值以及它們的位置是已知的，如下圖所示，試寫出電位φ（r，θ）和電場(chǎng)（r，θ）的表達(dá)式。

真空中有一長(zhǎng)度為l的細(xì)直線，均勻帶電，電荷線密度為τ。試計(jì)算P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度： 
（1）P點(diǎn)位于細(xì)直線的中垂線上，距離細(xì)直線中點(diǎn)l遠(yuǎn)處； 
（2）P點(diǎn)位于細(xì)直線的延長(zhǎng)線上，距離細(xì)直線中點(diǎn)l遠(yuǎn)處。

長(zhǎng)度為λ/4的無(wú)損耗線聯(lián)接如題圖。其特性阻抗Z₀為50Ω。若要使電源發(fā)出最大功率，試決定集中參數(shù)B的值及電源內(nèi)阻。

特性阻抗Z₀=100Ω，長(zhǎng)度為λ/8的無(wú)損耗傳輸線，輸出端接有負(fù)載Z_t=（200+j300）Ω，輸入端接有內(nèi)阻為100Ω、電壓為500∠0°的電源。試求：
（1）傳輸線輸入端的電壓；
（2）負(fù)載吸收的平均功率；
（3）負(fù)載端的電壓。