電路如圖,則下列方程等式成立的有()。
A.I1+I2=R3
B.R1I1+R3I3=0
C.R2I2+R3I3=E2
D.R1I1-R2I2+R3I3=0
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電路如圖,則關(guān)于節(jié)點(diǎn)a的基爾霍夫電流方程正確的有()。
A.I1+I2=I3
B.I1+I2-I3=0
C.I1+I2+I3=0
D.I3-I1-I2=0
圖示電路中,元件的U=5V,I=-3A,則下列說(shuō)法正確的有()。
A.該元件吸收的功率為15W
B.該元件發(fā)出的功率為-15W
C.該元件吸收的功率為-15W
D.該元件發(fā)出的功率為15W
A.發(fā)出功率5W
B.發(fā)出功率20W
C.吸收功率20W
D.吸收功率-20W
最新試題
關(guān)于毫伏表,下列說(shuō)法正確的是()。
某RC低通濾波器的參數(shù)是R=100Ω、C=0.1μF,信號(hào)源內(nèi)阻是50Ω,測(cè)試幅頻特性的過(guò)程中,如果對(duì)信號(hào)的幅度不做任何調(diào)整,如下說(shuō)法正確的是()。
如圖所示示波器的探頭,測(cè)試信號(hào)時(shí),探頭應(yīng)該與測(cè)試端應(yīng)如何連接?()
圖正弦穩(wěn)態(tài)電路,已知u(t)=10cos(t+15°)V,i(t)=2sin(t+45°)A則電路N吸收的平均功率P等于()。
圖示電路中,要使電流I增大到3I,則21Ω的電阻應(yīng)換為()。
?N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是()。
測(cè)試低通濾波器的幅頻特性曲線時(shí),此處假設(shè)截止頻率是大于500Hz的,如下哪種說(shuō)法不正確?()
OP07集成運(yùn)放的封裝如圖所示,請(qǐng)問(wèn)哪種引腳排列是正確的?()
如圖是MOSFET電路測(cè)試時(shí)晶體管毫伏表的截圖,以下更準(zhǔn)確的是()。
?圖示電路的uS(t)=2cos(t+30°)V,則電壓uS(t)與電壓uC(t)的相位差等于()。