從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

主存儲器通常由以下哪些部分組成？（）

已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補，正確結(jié)果為（）。

計算機的I/O接口是（）之間的交接界面。

（）又稱為萬國碼，是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號的字符編碼方案。

已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

由硬件實現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實現(xiàn)的做法被稱為（）

使用硬件堆棧時，其中（）移動。