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問答題 如圖所示，無限大的介質(zhì)中外加均勻電場E0=e_zE0，在介質(zhì)中有一個半徑為a的球形空腔。求空腔內(nèi)、外的電場E和空腔表面的極化電荷密度（介質(zhì)的介電常數(shù)為ε）。

1.問答題 在均勻外電場E0=e_zE0中放入半徑為a的導體球，設
（1）導體充電至U0；
（2）導體上充有電荷Q。
試分別計算兩種情況下球外的電位分布。

2.問答題 如圖所示，一無限長介質(zhì)圓柱的半徑為a、介電常數(shù)為ε，在距離軸線r0（r0＞a）處，有一與圓柱平行的線電荷ql，計算空間各部分的電位。

3.問答題 一個半徑為b、無限長的薄導體圓柱面被分割成四個四分之一圓柱面，如圖所示。第二象限和第四象限的四分之一圓柱面接地，第一象限和第三象限分別保持電位U0和-U0。求圓柱面內(nèi)部的電位函數(shù)。

4.問答題在介電常數(shù)為ε的無限大的介質(zhì)中，沿z軸方向開一個半徑為a的圓柱形空腔。沿x軸方向外加一均勻電場E0=e_xE0，求空腔內(nèi)和空腔外的電位函數(shù)。

5.問答題 如圖所示，在均勻電場E0=e_xE0中垂直于電場方向放置一根無限長導體圓柱，圓柱的半徑為a。求導體圓柱外的電位φ和電場E以及導體表面的感應電荷密度σ。