電路如圖所示，設(shè)運放是理想的，三極管T的V_BE＝V_B－V_E＝0.7V。
（1）求出三極管的c、b、e各極的電位值；
（2）若電壓表的讀數(shù)為200mV，試求三極管電流放大系數(shù)β＝I_C／I_B的值。

共發(fā)射極放大器如圖（a）所示，三極管輸出特性如圖（b）所示，已知V_BEQ＝0.7V，試求：
（1）作直流負載線（標明坐標）；
（2）粗略畫出交流負載線；
（3）估算靜態(tài)工作點I_CQ；
（4）確定三極管β值；
（5）r_be＝300Ω條件下的電壓增益A_V＝V_o／V_i。

兩級阻容耦合放大電路如圖所示，已知T₁管為N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管，g_m＝2mS，T₂管為雙極型晶體管，β＝50，r_be＝1kΩ，r_ce可忽略。
（1）求第二級電路的靜態(tài)工作點I_CQ2和V_CEQ2；
（2）若電路中所有電容的容抗在中頻區(qū)域內(nèi)可忽略，試求該電路的中頻電壓放大倍數(shù)A_V、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o；
（3）當加大輸入信號時，該放大電路是先出現(xiàn)飽和失真還是先出現(xiàn)截止失真？其最大不失真輸出電壓V_omax為多少？

如圖所示N溝道JFET構(gòu)成的放大電路，JFET的V_GSoff＝－2V，I_DSS＝5mA，S₁處于開路狀態(tài)。
（1）說明C₁、C₂、C₃和C₄的作用；
（2）說明R₃和R₅的作用；
（3）計算電路的輸入阻抗R_i、輸出阻抗R_o和電壓放大倍數(shù)A_V；
（4）現(xiàn)將N溝道JFET換成H_FE＝100的BJT，且S₁閉合，分析輸入阻抗、輸出阻抗和增益的變化；
（5）比較共源JFET放大器和共射BJT放大器的優(yōu)缺點。

電路如圖所示，其中三極管β＝100，r_bb′300，V_BEQ＝0.7V。
（1）求靜態(tài)工作點I_CQ1、V_CEQ1、I_CQ2和V_CEQ2的值；
（2）求中頻段電壓放大倍數(shù)A_V＝V_o／V_i；
（3）求電路下限截止頻率f_L；
（4）如果試圖提高電路的下限截止頻率，而手頭沒有多余的元器件，對電路中的元器件做怎樣調(diào)整，可以實現(xiàn)這個目的。