某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，則該管是（）
A.P溝道增強(qiáng)型MOSFET
B.P溝道JFET
C.N溝道增強(qiáng)型MOSFET
D.N溝道耗盡型MOSFET
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A.一個(gè)固定值
B.隨電源電壓VDD增加而加大
C.隨靜態(tài)柵源電壓VGS增加而加大
D.隨靜態(tài)柵源電壓VGS增加而減小
兩個(gè)獨(dú)立的共射極放大電路，負(fù)載開路時(shí)的電壓增益分別為A1和A2，如果將它們串接成兩級(jí)電壓放大電路時(shí)，則總的電壓增益滿足（）
A.A
B.B
C.C
D.D
電路如圖所示，若不慎將旁路電容Ce斷開，則將（）
A.不僅影響靜態(tài)工作點(diǎn)，而且也影響電壓增益。
B.只影響靜態(tài)工作點(diǎn)，但不影響電壓增益。
C.不影響靜態(tài)工作點(diǎn)，只影響電壓增益。
D.不影響靜態(tài)工作點(diǎn)，也不影響電壓增益。
放大電路如圖所示，三極管β=50，電壓增益為A1，如果用β=100的管子替換β=50的管子，這時(shí)電壓增益為A2，則滿足（）
A.A
B.B
C.C
D.D
放大電路如圖所示，如UCC>>UBE，且ICEO≈0，則在靜態(tài)時(shí)，該三極管工作的狀態(tài)是（）
A.放大狀態(tài)
B.飽和狀態(tài)
C.截止?fàn)顟B(tài)
D.不定
最新試題
過(guò)壓狀態(tài)的工作特性是（）
遲滯比較器回差電壓的大小體現(xiàn)了（）。
單穩(wěn)態(tài)電路輸入一個(gè)脈沖后會(huì)輸出（）個(gè)脈沖。
與混頻前的高頻相比中頻信號(hào)的（）未發(fā)生變化。
當(dāng)（）變化時(shí)，積分器電路的反饋量會(huì)發(fā)生變化。
無(wú)線電波中的電場(chǎng)與磁場(chǎng)的夾角應(yīng)為（）。
如圖所示電路，晶體管的β=100，rbe=1kΩ，Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V，試求Rb阻值。2.若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV，求負(fù)載電阻RL大小。
微分器的輸出幅度不隨（）變化而變化。
功放電路工作在乙類放大，在輸入信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)：（）
對(duì)于半導(dǎo)體材料，隨溫度升高：（）