如圖所示,以?xún)商摼€(xiàn)為邊界,中間存在平行紙面且與邊界垂直的水平電場(chǎng),寬度為d,兩側(cè)為相同的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直紙面向里.質(zhì)量為m、帶電量+q、重力不計(jì)的帶電粒子,以初速度v1垂直邊界射入磁場(chǎng)做勻速圓周運(yùn)動(dòng),后進(jìn)入電場(chǎng)做勻加速運(yùn)動(dòng),然后第二次進(jìn)入磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng),此后粒子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中交替運(yùn)動(dòng).已知粒子第二次在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑是第一次的兩倍,第三次是第一次的三倍,以此類(lèi)推.求:
(1)粒子第一次經(jīng)過(guò)電場(chǎng)的過(guò)程中電場(chǎng)力所做的功W1;
(2)粒子第n次經(jīng)過(guò)電場(chǎng)時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小En;
(3)粒子第n次經(jīng)過(guò)電場(chǎng)所用的時(shí)間tn.
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下圖是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖.帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后,進(jìn)入速度選擇器.速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為B和E.平板S上有可讓粒子通過(guò)的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2.平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng).下列表述錯(cuò)誤的是()
A.質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具
B.速度選擇器中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外
C.能通過(guò)狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B
D.粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P,粒子的荷質(zhì)比越小
下圖是科學(xué)史上一張著名的實(shí)驗(yàn)照片,顯示一個(gè)帶電粒子在云室中穿過(guò)某種金屬板運(yùn)動(dòng)的徑跡.云室放置在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直照片向里.云室中橫放的金屬板對(duì)粒子的運(yùn)動(dòng)起阻礙作用.分析此徑跡可知粒子()
A.帶正電,由下往上運(yùn)動(dòng)
B.帶正電,由上往下運(yùn)動(dòng)
C.帶負(fù)電,由上往下運(yùn)動(dòng)
D.帶負(fù)電,由下往上運(yùn)動(dòng)
回旋加速器是加速帶電粒子的裝置,其核心部分是分別與高頻交流電源兩極相連接的兩個(gè)D形金屬盒,兩盒間的狹縫中形成的周期性變化的電場(chǎng),使粒子在通過(guò)狹縫時(shí)都能得到加速,兩D形金屬盒處于垂直于盒底的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,如圖所示,要增大帶電粒子射出時(shí)的動(dòng)能,則下列說(shuō)法中正確的是()
A.減小磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度
B.增大勻強(qiáng)電場(chǎng)間的加速電壓
C.增大D形金屬盒的半徑
D.減小狹縫間的距離
如下圖所示,矩形MNPQ區(qū)域內(nèi)有方向垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),有5個(gè)帶電粒子從圖中箭頭所示位置垂直于磁場(chǎng)邊界進(jìn)入磁場(chǎng),在紙面內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)軌跡為相應(yīng)的圓?。@些粒子的質(zhì)量、電荷量以及速度大小如下表所示.
由以上信息可知,從圖中a、b、c處進(jìn)入的粒子對(duì)應(yīng)表中的編號(hào)分別為()
A.3、5、4
B.4、2、5
C.5、3、2
D.2、4、5
最新試題
?駐波具有行波的傳輸特性,在線(xiàn)上作簡(jiǎn)諧振蕩。
電磁感應(yīng)定律(麥克斯韋第二方程)表明()。
弱導(dǎo)電媒質(zhì)中存在衰減,但很小。
傳輸線(xiàn)接任意阻抗負(fù)載時(shí),線(xiàn)上將同時(shí)存在入射波和反射波,兩者迭加形成混合波狀態(tài)。
?在真空中兩個(gè)靜止點(diǎn)電荷之間的相互作用力與距離平方成正比。?
?均勻平面波電場(chǎng)和磁場(chǎng)在空間任意點(diǎn)的能量密度不相等。
?電子設(shè)備必須符合標(biāo)準(zhǔn)要求是電子設(shè)備達(dá)到電磁兼容性的先決條件。
?兩個(gè)矢量的點(diǎn)乘(標(biāo)量積,點(diǎn)積)結(jié)果是標(biāo)量。?
?電磁波在導(dǎo)體中傳播時(shí),會(huì)產(chǎn)生歐姆損耗。
增加地環(huán)路的阻抗,從而減小地環(huán)路電流。