問(wèn)答題
試比較下列這些晶體的熔點(diǎn)高低并說(shuō)明理由。
SiC、SiF4、SiBr4
您可能感興趣的試卷
最新試題
簡(jiǎn)述固體表面產(chǎn)生吸附性的原因及活性炭、分子篩作為吸附劑的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，反應(yīng)熱為多少？是放熱反應(yīng)還是吸熱反應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
高分子材料的性能指標(biāo)主要有（），（），（）等。
題型：填空題
簡(jiǎn)述鍋爐內(nèi)鍋垢存在的危害及解決辦法？
題型：?jiǎn)柎痤}
在各氣體分壓均為100kPa下多高溫度時(shí)，此體系才能處在平衡狀態(tài)？
題型：?jiǎn)柎痤}
統(tǒng)稱為“四烯”的物質(zhì)是指（）、（）、（）和（）。
題型：填空題
產(chǎn)生缺陷的原因很多，主要有（）、（）、（）和（）。
題型：填空題
此反應(yīng)在298.15K時(shí)，H2O（g），CO（g）及H2（g） 的分壓均為100kPa下能否向 正方向進(jìn)行？
題型：?jiǎn)柎痤}
為什么水既可以作制冷劑又可做載冷劑？
題型：?jiǎn)柎痤}
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，298.15K時(shí)，反應(yīng)能否自發(fā)進(jìn)行？
題型：?jiǎn)柎痤}