單項(xiàng)選擇題關(guān)于固體廢物厭氧消化工藝過(guò)程及控制措施,下列說(shuō)法正確的是:()

A.沼氣池建設(shè)完工后,僅能使用水試壓法檢查沼氣池是否漏水、漏氣。
B.干式厭氧發(fā)酵工藝相對(duì)于濕式發(fā)酵工藝產(chǎn)沼液少,甚至不產(chǎn)沼液,發(fā)酵剩余物經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單過(guò)濾或短時(shí)間堆肥腐熟后即可作為園林綠化肥料。
C.按發(fā)酵溫度,厭氧消化工藝類型分為常溫發(fā)酵、中溫發(fā)酵與高溫發(fā)酵,我國(guó)農(nóng)村戶用沼氣池常采用中溫發(fā)酵工藝。
D.有機(jī)固體廢物進(jìn)行中溫發(fā)酵時(shí)可用高溫發(fā)酵液做接種物,促進(jìn)早產(chǎn)氣,提高產(chǎn)氣率。


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2.單項(xiàng)選擇題高固體厭氧消化是一種相對(duì)較新的厭氧消化技術(shù),下列關(guān)于高固體厭氧消化工藝的描述錯(cuò)誤的是()

A.高固體厭氧消化工藝的總固體濃度一般在20%~35%之間。
B.高固體厭氧消化工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是反應(yīng)器單位體積需水量低,產(chǎn)氣量高,但是目前該工藝大規(guī)模運(yùn)行的經(jīng)驗(yàn)十分有限。
C.與低固體厭氧消化工藝比較,處理相同體積的有機(jī)廢物,高固體厭氧消化工藝所需反應(yīng)器的體積較小。
D.與低固體厭氧消化工藝比較,高固體厭氧消化工藝由于具有較高的固體含量,對(duì)外界環(huán)境和微生物數(shù)量的變化的抗受能力較強(qiáng),不會(huì)出現(xiàn)鹽及重金屬的中毒現(xiàn)象,也不會(huì)出現(xiàn)氨的中毒問(wèn)題。

4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于餐廚垃圾“預(yù)處理+厭氧消化”處理工藝,以下說(shuō)法正確的是:()

A.餐廚垃圾預(yù)處理工段可以回收部分油脂。
B.餐廚垃圾濕式厭氧消化工藝中,需要配套廢水處理設(shè)施。
C.餐廚垃圾采用濕式厭氧消化工藝時(shí),為保證較高的產(chǎn)氣效率,反應(yīng)器內(nèi)含固率保持在25%~35%之間。
D.餐廚垃圾厭氧消化的沼渣可以直接用作農(nóng)肥。

5.多項(xiàng)選擇題下列哪些選項(xiàng)屬于兩相厭氧消化工藝的特點(diǎn)?()

A.物料在產(chǎn)酸階段滯留期較短,在產(chǎn)甲烷階段滯留期較長(zhǎng)
B.產(chǎn)酸階段也產(chǎn)生大量甲烷
C.產(chǎn)酸和產(chǎn)甲烷過(guò)程在不同裝置中進(jìn)行,并分別控制條件
D.產(chǎn)酸階段可降解物料中絕大部分的COD

7.多項(xiàng)選擇題下列關(guān)于有機(jī)固體廢物厭氧處理兩相發(fā)酵工藝的描述中,符合該工藝的特點(diǎn)有:()

A.在甲烷階段產(chǎn)甲烷菌繁殖較快,滯留時(shí)間較短,一般甲烷罐可小于酸化罐。
B.在酸化階段酸化菌繁殖較快,滯留時(shí)間較短,一般酸化罐可小于甲烷罐。
C.在酸化階段酸化菌繁殖較慢,滯留時(shí)間較長(zhǎng),一般酸化罐可大于甲烷罐。
D.在甲烷階段產(chǎn)甲烷菌繁殖較慢,滯留時(shí)間較長(zhǎng),一般甲烷罐可大于酸化罐。

8.單項(xiàng)選擇題下列哪組設(shè)備為濕式厭氧消化工藝的必需設(shè)備?()

A.進(jìn)料設(shè)備、水解設(shè)備、厭氧消化設(shè)備、沼氣收集儲(chǔ)存設(shè)備、沼渣固液分離設(shè)備
B.進(jìn)料設(shè)備、厭氧消化設(shè)備、沼氣收集儲(chǔ)存設(shè)備、沼渣固液分離設(shè)備
C.進(jìn)料設(shè)備、厭氧消化設(shè)備、沼氣收集儲(chǔ)存設(shè)備、沼渣干燥設(shè)備
D.進(jìn)料設(shè)備、水解設(shè)備、厭氧消化設(shè)備、沼氣收集儲(chǔ)存設(shè)備

10.單項(xiàng)選擇題在厭氧消化過(guò)程中,影響產(chǎn)氣量的因素很多,下列哪項(xiàng)描述是錯(cuò)誤的?()

A.甲烷菌對(duì)溫度的急劇變化非常敏感,溫度上升過(guò)快或出現(xiàn)很大溫差時(shí)對(duì)產(chǎn)氣量產(chǎn)生不良影響。
B.固體廢物中的無(wú)機(jī)鹽銨、鈉對(duì)厭氧微生物有毒性或抑制作用。
C.添加少量有益微量元素有利于提高產(chǎn)氣量。
D.中溫厭氧消化正常運(yùn)行時(shí),氧化還原電位應(yīng)維持在300mV左右。

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