已知電路參數(shù)如圖所示，F(xiàn)ET工作點上的互導(dǎo)g_m＝1mS，設(shè)r_ds>>Rd。
（1）畫出電路的小信號等效電路；
（2）求電壓增益A_v；
（3）求放大器的輸入電阻R_i。

電路如圖所示，設(shè)場效應(yīng)管的參數(shù)為g_m1＝0.8mS，λ₁＝λ₂＝0.01V^-1。場效應(yīng)管的靜態(tài)工作電流I_D＝0.2mA。試求該共源放大電路的電壓增益。

電路如圖所示。設(shè)R＝0.75kΩ，R_g1＝R_g2＝240kΩ，R_s＝4kΩ。場效應(yīng)管的g_m＝11.3ms，r_ds＝50kΩ。試求源極跟隨器的源電壓增益A_vs＝v_o／v_s、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

電路如圖所示。設(shè)電流源電流I＝0.5mA、V_DD＝V_ss＝5V，R_d＝9kΩ，C_s很大，對信號可視為短路。場效應(yīng)管的V_T＝0.8V，K_n＝1mA／V²，輸出電阻r_ds＝∞。試求電路的小信號電壓增益A_v。

電路如圖所示，設(shè)R₁＝R₂＝100kΩ，V_DD＝5V，R_d＝7.5kΩ，V_T＝－1V，K_P＝0.2mA／V₂。試計算如圖所示P溝道增強型MOSFET共源極電路的漏極電流I_D和漏源電壓V_DS。