單項選擇題半導體PN，斷路時出現(xiàn)空乏區(qū)是為了（）

A.制止擴散電流
B.制止漂移電流
C.增加擴散電流
D.增加漂移電流，以達熱平衡


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1.單項選擇題光電二極管之逆向電流與入射光強度成（）

A.正比
B.平方成正比
C.立方成正比
D.平方成反比

2.單項選擇題二極管由P型材料與N型材料接合而成，當二極管被反偏時的電流稱為逆向飽和電流，逆向飽和電流的大小主要與下列何者有關(guān)？（）

A.二極管所在環(huán)境的溫度
B.反向偏壓的大小
C.加反向偏壓的時間
D.與反向偏壓的大小、加反向偏壓的時間同時有關(guān)

3.單項選擇題以GaAs為材料作之晶體管比Si材料作之晶體管，能在較高頻率使用，主要是因為（）

A.濃度較高
B.帶電量較大
C.移動率較快
D.以上皆非

4.單項選擇題

如圖所示，二極管并聯(lián)可增加耐流能力，而每一二極管又串聯(lián)一電阻R的目的是（）

A.限流
B.平衡兩二極管通過之電流
C.增加二極管耐壓能力
D.降低二極管消耗之功率
E.提升二極管之整流效率